PTFA081501

PTFA081501, PTFA081501EV1, PTFA081501FV1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPTFA081501EV1PTFA081501FV1
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Частота
f
900 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
Серия MOSFET
Серия
GOLDMOS®
P1dB
P1dB
150 Вт
Коэффициент усиления
KdB
18 дБ