На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PTF080101MV1 | PTF080101SV1 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 10-TSSOP | H32259-2 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 1 мкА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Частота | f | 960 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Серия MOSFET | Серия | GOLDMOS® | |
P1dB | P1dB | 10 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 16 дБ | 18.5 дБ |