На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD85025C | PD85025-E | PD85025S-E | PD85025STR-E | PD85025TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | M243 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 40 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | 7 А | ||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||||
Частота | f | 945 МГц | 870 МГц | 870 МГц | 870 МГц | 870 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
P1dB | P1dB | 10 Вт | ||||
Коэффициент усиления | KdB | 17.5 дБ | 17.3 дБ | 17.3 дБ | 17.3 дБ | 17.3 дБ |