PD85006

PD85006, PD85006L-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPD85006L-E
Корпус микросхемы
Корпус
PowerFLAT™ (5 x 5)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
40 В
Постоянный ток стока
IDSS
2 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Частота
f
870 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
5 Вт
Коэффициент усиления
KdB
17 дБ