На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD84010-E | PD84010S-E | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 40 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 8 А | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Частота | f | 870 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 2 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 16.3 дБ | |