На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD84008-E | PD84008L-E | PD84008S-E | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | PowerFLAT™ (5 x 5) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 25 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 7 А | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | LDMOS | MOSFET |
Тип канала полевого транзистора | Канал | (не задано) | (не задано) | N-ch |
Частота | f | 870 МГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 2 Вт | ||
Коэффициент усиления | KdB | 16.2 дБ | 15.5 дБ | 16.2 дБ |