На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD57030-E | PD57030S | PD57030S-E | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | ||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 4 А | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||
Частота | f | 945 МГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 30 Вт | ||
Коэффициент усиления | KdB | 14 дБ | ||