На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD57002-E | PD57002S-E | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 250 мА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Частота | f | 960 МГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 2 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 15 дБ | |