На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD55025-E | PD55025S-E | PD55025STR-E | PD55025TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 40 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 7 А | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||
Частота | f | 500 МГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
P1dB | P1dB | 25 Вт | |||
Коэффициент усиления | KdB | 14.5 дБ | |||