На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | PD55008-E | PD55008L-E | PD55008S-E | PD55008STR-E | PD55008TR | PD55008TR-E | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerFLAT™ (5 x 5) | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 40 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | 4 А | 5 А | 4 А | 4 А | 4 А | 4 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||||
Частота | f | 500 МГц | |||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||
P1dB | P1dB | 8 Вт | |||||
Коэффициент усиления | KdB | 17 дБ | 19 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ |