PD54003

PD54003, PD54003-E, PD54003L-E, PD54003S-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрPD54003-EPD54003L-EPD54003S-E
Корпус микросхемы
Корпус
PowerSO-10 Exposed Bottom PadPowerFLAT™ (5 x 5)PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
25 В
Постоянный ток стока
IDSS
4 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Частота
f
500 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
3 Вт
Коэффициент усиления
KdB
12 дБ20 дБ12 дБ