На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE6510179A-A | NE6510179A-T1-A | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 79A | |
Производитель | Производитель | NEC | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 2.8 А | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | HFET | |
Частота | f | 1.9 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
Коэффициент усиления | KdB | 10 дБ | |