NE650103M-A

NE650103, NE650103M-A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE650103M-A
Корпус микросхемы
Корпус
3M
Производитель
Производитель
NEC
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
15 В
Постоянный ток стока
IDSS
5 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MESFET
Частота
f
2.3 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
Коэффициент усиления
KdB
11 дБ