На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NE3512S02-A | NE3512S02-T1C-A | NE3512S02-T1D-A | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | S02 | ||
Производитель | Производитель | NEC | ||
Коэффициент шума | NF | 350 мдБ | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 4 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 70 мА | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | HFET | ||
Частота | f | 12 ГГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ | ||