NE350184C

NE350184, NE350184C

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNE350184C
Корпус микросхемы
Корпус
Micro-X ceramic (84C)
Производитель
Производитель
NEC
Коэффициент шума
NF
700 мдБ
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
4 В
Постоянный ток стока
IDSS
70 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
HFET
Частота
f
20 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
Коэффициент усиления
KdB
13.5 дБ