MRFG35020AR5

MRFG35020AR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRFG35020AR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-360
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
15 В
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
pHEMT FET
Частота
f
3.5 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
20 Вт
Коэффициент усиления
KdB
11.5 дБ