На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRFG35003N6AT1 | MRFG35003N6T1 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PLD-1.5 | |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 2.9 А | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | pHEMT FET | |
Частота | f | 3.55 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 3 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 10 дБ | 9 дБ |