На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRFG35002N6AT1 | MRFG35002N6R5 | MRFG35002N6T1 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PLD-1.5 | ||
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 8 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 1.7 А | ||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | pHEMT FET | ||
Частота | f | 3.55 ГГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 1.5 Вт | ||
Коэффициент усиления | KdB | 10 дБ | ||