MRFE6S9200HR5

MRFE6S9200, MRFE6S9200HR3, MRFE6S9200HR5, MRFE6S9200HSR3, MRFE6S9200HSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRFE6S9200HR3MRFE6S9200HR5MRFE6S9200HSR3MRFE6S9200HSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-880NI-880NI-880SNI-880S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
66 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
880 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
58 Вт
Коэффициент усиления
KdB
21 дБ