MRF8S9200

MRF8S9200, MRF8S9200NR3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF8S9200NR3
Корпус микросхемы
Корпус
OM-780-2
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
70 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
940 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
58 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19.9 дБ