На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF7S18125AHR3 | MRF7S18125AHR5 | MRF7S18125AHSR3 | MRF7S18125AHSR5 | MRF7S18125BHR3 | MRF7S18125BHR5 | MRF7S18125BHSR3 | MRF7S18125BHSR5 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S | NI-780 | NI-780 | NI-780 | NI-780 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Частота | f | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.88 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц | 1.93 ГГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||||
P1dB | P1dB | 125 Вт | |||||||
Коэффициент усиления | KdB | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ | 16.5 дБ |