MRF7S16150HR5

MRF7S16150, MRF7S16150HR3, MRF7S16150HR5, MRF7S16150HSR3, MRF7S16150HSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF7S16150HR3MRF7S16150HR5MRF7S16150HSR3MRF7S16150HSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-780NI-780NI-780SNI-780S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.6 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
32 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19.7 дБ