MRF7P20040HR3

MRF7P20040, MRF7P20040HR3, MRF7P20040HR5, MRF7P20040HSR3, MRF7P20040HSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF7P20040HR3MRF7P20040HR5MRF7P20040HSR3MRF7P20040HSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-780H-4NI-780H-4NI-780HS-4NI-780HS-4
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.03 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
P1dB
P1dB
10 Вт
Коэффициент усиления
KdB
18.2 дБ