MRF6VP2600HR5

MRF6VP2600, MRF6VP2600HR5, MRF6VP2600HR6

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF6VP2600HR5MRF6VP2600HR6
Корпус микросхемы
Корпус
NI-1230
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
110 В
Постоянный ток стока
IDSS
2.5 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
225 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
2
P1dB
P1dB
125 Вт
Коэффициент усиления
KdB
25 дБ