MRF6V2150NBR5

MRF6V2150, MRF6V2150NBR1, MRF6V2150NBR5, MRF6V2150NR1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF6V2150NBR1MRF6V2150NBR5MRF6V2150NR1
Корпус микросхемы
Корпус
TO-272-4TO-272-4TO-270-4
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
110 В
Постоянный ток стока
IDSS
2.5 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
220 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
150 Вт
Коэффициент усиления
KdB
25 дБ