На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6V2010GNR1 | MRF6V2010GNR5 | MRF6V2010NBR1 | MRF6V2010NBR5 | MRF6V2010NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-270-2 | TO-270-2 | TO-272-2 | TO-272-2 | TO-270-2 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | 110 В | 110 В | 110 В |
Постоянный ток стока | IDSS | (не задано) | (не задано) | 2.5 мА | 2.5 мА | 2.5 мА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Частота | f | (не задано) | (не задано) | 220 МГц | 220 МГц | 220 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||
P1dB | P1dB | 10 Вт | ||||
Коэффициент усиления | KdB | (не задано) | (не задано) | 23.9 дБ | 23.9 дБ | 23.9 дБ |