MRF6V12250HR5

MRF6V12250, MRF6V12250HR3, MRF6V12250HR5, MRF6V12250HSR3, MRF6V12250HSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF6V12250HR3MRF6V12250HR5MRF6V12250HSR3MRF6V12250HSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-780NI-780NI-780SNI-780S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
100 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.03 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
275 Вт
Коэффициент усиления
KdB
20.3 дБ