На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6S23100HR3 | MRF6S23100HR5 | MRF6S23100HSR3 | MRF6S23100HSR5 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 68 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 2.3 ГГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
P1dB | P1dB | 20 Вт | |||
Коэффициент усиления | KdB | 15.4 дБ | |||