На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6S21100HR3 | MRF6S21100HR5 | MRF6S21100HSR3 | MRF6S21100HSR5 | MRF6S21100MBR1 | MRF6S21100MR1 | MRF6S21100NBR1 | MRF6S21100NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S | TO-272-4 | TO-270-4 | TO-272-4 | TO-270-4 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 68 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||||||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Частота | f | 2.11 ГГц | |||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||||
P1dB | P1dB | 23 Вт | |||||||
Коэффициент усиления | KdB | 15.9 дБ | 15.9 дБ | 15.9 дБ | 15.9 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ |