На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6S21060MBR1 | MRF6S21060MR1 | MRF6S21060NBR1 | MRF6S21060NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-272-4 | TO-270-4 | TO-272-4 | TO-270-4 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 68 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 2.11 ГГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
P1dB | P1dB | 14 Вт | |||
Коэффициент усиления | KdB | 15.5 дБ | |||