MRF6S21050

MRF6S21050, MRF6S21050LR3, MRF6S21050LR5, MRF6S21050LSR3, MRF6S21050LSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF6S21050LR3MRF6S21050LR5MRF6S21050LSR3MRF6S21050LSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-400NI-400NI-400SNI-400S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
68 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.16 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
11.5 Вт
Коэффициент усиления
KdB
16 дБ