MRF6S20010

MRF6S20010, MRF6S20010GNR1, MRF6S20010NR1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF6S20010GNR1MRF6S20010NR1
Корпус микросхемы
Корпус
TO-270-2 Gull WingTO-270-2
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
68 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.17 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
10 Вт
Коэффициент усиления
KdB
15.5 дБ