На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6S19100GNR1 | MRF6S19100HR3 | MRF6S19100HR5 | MRF6S19100HSR3 | MRF6S19100HSR5 | MRF6S19100MBR1 | MRF6S19100MR1 | MRF6S19100NBR1 | MRF6S19100NR1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-270-2 Gull Wing | NI-780 | NI-780 | NI-780S | NI-780S | TO-272-4 | TO-270-4 | TO-272-4 | TO-270-4 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | ||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В | 68 В |
Постоянный ток стока | IDSS | (не задано) | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА | 10 мкА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | ||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||
Частота | f | (не задано) | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц | 1.99 ГГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||||||
P1dB | P1dB | (не задано) | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт | 22 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | (не задано) | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 16.1 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ | 14.5 дБ |