На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MRF6S18100NBR1 | MRF6S18100NR1 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-272-4 | TO-270-4 |
Производитель | Производитель | Freescale Semiconductor | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 68 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 10 мкА | |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | MOSFET | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 1.99 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 100 Вт | |
Коэффициент усиления | KdB | 14.5 дБ | |