MRF5S9150HR3

MRF5S9150, MRF5S9150HR3, MRF5S9150HR5, MRF5S9150HSR3, MRF5S9150HSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF5S9150HR3MRF5S9150HR5MRF5S9150HSR3MRF5S9150HSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-780NI-780SNI-780NI-780S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
68 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
880 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
33 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19.7 дБ