MRF5S9100MBR1

MRF5S9100, MRF5S9100MBR1, MRF5S9100MR1, MRF5S9100NBR1, MRF5S9100NR1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF5S9100MBR1MRF5S9100MR1MRF5S9100NBR1MRF5S9100NR1
Корпус микросхемы
Корпус
TO-272-4TO-270-4TO-272-4TO-270-4
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
68 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
880 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
20 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19.5 дБ