MRF5S19060MR1

MRF5S19060, MRF5S19060MBR1, MRF5S19060MR1, MRF5S19060NBR1, MRF5S19060NR1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF5S19060MBR1MRF5S19060MR1MRF5S19060NBR1MRF5S19060NR1
Корпус микросхемы
Корпус
TO-272-4TO-270-4TO-272-4TO-270-4
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.93 ГГц1.93 ГГц1.99 ГГц1.99 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
2 Вт
Коэффициент усиления
KdB
14 дБ