MRF21010

MRF21010, MRF21010LR1, MRF21010LR5, MRF21010LSR1, MRF21010LSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF21010LR1MRF21010LR5MRF21010LSR1MRF21010LSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-360NI-360NI-360SNI-360S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
10 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.11 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
11 Вт
Коэффициент усиления
KdB
13.5 дБ