MRF19030LR3

MRF19030, MRF19030LR3, MRF19030LR5, MRF19030LSR3, MRF19030LSR5

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMRF19030LR3MRF19030LR5MRF19030LSR3MRF19030LSR5
Корпус микросхемы
Корпус
NI-400NI-400NI-400SNI-400S
Производитель
Производитель
Freescale Semiconductor
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
1 мкА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
MOSFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.96 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
30 Вт
Коэффициент усиления
KdB
13 дБ