На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBFJ310LT1 | MMBFJ310LT1G | MMBFJ310LT3 | MMBFJ310LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Коэффициент шума | NF | 3 дБ | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 25 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | 60 мА | |||
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | JFET | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Частота | f | 450 МГц | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||
Коэффициент усиления | KdB | 12 дБ | |||