MMBF4416

MMBF4416, MMBF4416A, MMBF4416LT1, MMBF4416LT1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBF4416AMMBF4416LT1MMBF4416LT1G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Коэффициент шума
NF
4 дБ2 дБ2 дБ
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
35 В30 В30 В
Постоянный ток стока
IDSS
15 мА
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
JFET
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
400 МГц100 МГц100 МГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
Коэффициент усиления
KdB
18 дБ