CGH40035

CGH40035, CGH40035F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCGH40035F
Корпус микросхемы
Корпус
440193
Производитель
Производитель
Cree Inc
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
84 В
Постоянный ток стока
IDSS
10.5 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
HEMT
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
3.5 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
45 Вт
Коэффициент усиления
KdB
14 дБ