На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLS6G3135-120,112 | BLS6G3135-20,112 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | SOT-608A |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 7.2 А | 2.1 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 3.1 ГГц ~ 3.5 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 130 Вт | 20 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 11 дБ | 15.5 дБ |