На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLS6G2731-120,112 | BLS6G2731-6G,112 | BLS6G2731S-120,112 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 3-LDMOST, SOT957C | 2-LDMOST, SOT502B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 60 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | 33 А | 3.5 А | 33 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 2.7 ГГц ~ 3.1 ГГц | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||
P1dB | P1dB | 120 Вт | 6 Вт | 120 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 13.5 дБ | 15 дБ | 13.5 дБ |