На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLL1214-250,112 | BLL1214-35,112 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT467C |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 75 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | 45 А | 10 мкА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 1.2 ГГц ~ 1.4 ГГц | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||
P1dB | P1dB | 250 Вт | 35 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 12 дБ | 13 дБ |