На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF872,112 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-LDMOST |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В |
Постоянный ток стока | IDSS | 2.2 мкА |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 860 МГц |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |
P1dB | P1dB | 300 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 14 дБ |