На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF6G38-100,112 | BLF6G38-10,112 | BLF6G38-10,118 | BLF6G38-10G,112 | BLF6G38-10G,118 | BLF6G38-25,112 | BLF6G38-50,112 | BLF6G38LS-100,112 | BLF6G38LS-50,112 | BLF6G38S-25,112 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | 2-LDMOST, SOT957A | SOT-608A | 2-LDMOST, SOT502A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | SOT-608B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | |||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 34 А | 3.1 А | 3.1 А | 3.1 А | 3.1 А | 8.2 А | 16.5 А | 34 А | 16.5 А | 8.2 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | |||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Частота | f | 3.4 ГГц | |||||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | ||||||||||
P1dB | P1dB | 18.5 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 2 Вт | 4.5 Вт | 9 Вт | 18.5 Вт | 9 Вт | 4.5 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 13 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 14 дБ | 15 дБ | 14 дБ | 13 дБ | 14 дБ | 15 дБ |