BLF6G27-10G,112

BLF6G27, BLF6G27-10,112, BLF6G27-10G,112, BLF6G27-135,112, BLF6G27-45,112, BLF6G27-75,112, BLF6G27LS-135,112, BLF6G27LS-135,118, BLF6G27LS-75,112, BLF6G27LS-75,118, BLF6G27S-45,112

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBLF6G27-10,112BLF6G27-10G,112BLF6G27-135,112BLF6G27-45,112BLF6G27-75,112BLF6G27LS-135,112BLF6G27LS-135,118BLF6G27LS-75,112BLF6G27LS-75,118BLF6G27S-45,112
Корпус микросхемы
Корпус
2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT502ASOT-608A2-LDMOST, SOT502A2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502BSOT-608B
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
3.5 А3.5 А34 А20 А18 А34 А34 А18 А18 А20 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.7 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.5 ГГц2.7 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
2 Вт2 Вт20 Вт7 Вт9 Вт20 Вт20 Вт9 Вт9 Вт7 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19 дБ19 дБ16 дБ18 дБ17 дБ16 дБ16 дБ17 дБ17 дБ18 дБ