На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BLF6G22-180PN,112 | BLF6G22-180RN,112 | BLF6G22-45,112 | BLF6G22-45,135 | BLF6G22LS-100,112 | BLF6G22LS-100,118 | BLF6G22LS-130,112 | BLF6G22LS-130,118 | BLF6G22LS-180RN:11 | BLF6G22LS-75,112 | BLF6G22LS-75,118 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 5-LDMOST | 2-LDMOST, SOT502A | SOT-608A | SOT-608A | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B | 2-LDMOST, SOT502B |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | 65 В | ||||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | 5 мкА | 49 А | 1.5 мкА | 1.5 мкА | 29 А | 29 А | 34 А | 34 А | 49 А | 18 А | 18 А |
Технология изготовления полевого транзистора | Технология | LDMOS | ||||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||
Частота | f | 2.11 ГГц | ||||||||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | |||||||||||
P1dB | P1dB | 50 Вт | 40 Вт | 2.5 Вт | 2.5 Вт | 25 Вт | 25 Вт | 30 Вт | 30 Вт | 40 Вт | 17 Вт | 17 Вт |
Коэффициент усиления | KdB | 17.5 дБ | 16 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 17 дБ | 17 дБ | 16 дБ | 18.7 дБ | 18.7 дБ |