BLF6G20-110,112

BLF6G20, BLF6G20-110,112, BLF6G20-180PN,112, BLF6G20-230P, BLF6G20-45,112, BLF6G20-45,135, BLF6G20LS-110,112, BLF6G20LS-110,118, BLF6G20LS-140,112, BLF6G20LS-140,118, BLF6G20LS-75,112, BLF6G20LS-75,118, BLF6G20S-45,112

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBLF6G20-110,112BLF6G20-180PN,112BLF6G20-230PBLF6G20-45,112BLF6G20-45,135BLF6G20LS-110,112BLF6G20LS-110,118BLF6G20LS-140,112BLF6G20LS-140,118BLF6G20LS-75,112BLF6G20LS-75,118BLF6G20S-45,112
Корпус микросхемы
Корпус
2-LDMOST, SOT502A5-LDMOST2-LDMOST, SOT502ASOT-608ASOT-608A2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502B2-LDMOST, SOT502BSOT-608A
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
65 В
Постоянный ток стока
IDSS
29 А5 мкА5 мкА13 А13 А29 А29 А39 А39 А18 А18 А13 А
Технология изготовления полевого транзистора
Технология
LDMOS
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.93 ГГц1.8 ГГц1.8 ГГц1.8 ГГц1.8 ГГц1.93 ГГц1.93 ГГц1.93 ГГц1.93 ГГц1.93 ГГц1.93 ГГц1.8 ГГц
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
P1dB
P1dB
25 Вт50 Вт50 Вт2.5 Вт2.5 Вт25 Вт25 Вт35.5 Вт35.5 Вт29.5 Вт29.5 Вт2.5 Вт
Коэффициент усиления
KdB
19 дБ18 дБ16.5 дБ19.2 дБ19.2 дБ19 дБ19 дБ16.5 дБ16.5 дБ19 дБ19 дБ19.2 дБ